 |
Характеристики |
|
| Тип | Память |
| Общие характеристики | - Тип памяти - DDR3 - Форм-фактор - DIMM 240-контактный - Тактовая частота - 1333 МГц - Пропускная способность - 10600 Мб/с - Объем: 1 модуль 2 Гб - Поддержка ECC - нет - Буферизованная (Registered) - нет - Низкопрофильная (Low Profile) - нет |
| Тайминги | - CAS Latency (CL) - 9 - RAS to CAS Delay (tRCD) - 9 - Row Precharge Delay (tRP) - 9 |
| Дополнительно | - Количество чипов каждого модуля - 8 - Напряжение питания - 1.5 В |
